专利权人：西安交通大学

本项目开发了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品开发，其禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。项目的产业化成功，极大地推进我国半导体的技术变革，实现我国微电子行业的跨越式发展。

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