专利权人：湖南大学

首次在国际上实现了原子级薄二维半导体的横向异质结，为继石墨烯后的2D-TMDs这类二维半导体在电子和光电子中的重大应用推进了关键的一步，设计的制备工艺具有通用性，可以提应用来制备其他的二维材料异质结。原子级薄电子器件代表了在厚度方向推进摩尔定律的极限，同时为透明显示、柔性电子的实现奠定了基础。使得材料“界面”由于薄至原子级，成为“界线”，由于新的量子限域效应，可能会产生新的物理和化学的现象规律。

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