专利权人:南京航空航天大学
本成果采用低成本的金属辅助化学腐蚀法在多晶硅表面可控地制作高效陷光结构,与常规晶硅太阳电池工艺兼容性好,在高质量黑硅材料制作用的添加剂、工艺参数控制与自动化生产设备的设计制造等关键技术上取得了突破。 本成果用湿法黑硅技术生产的大面积(156mm×156mm)多晶黑硅太阳电池转换效率高于19.5%,比常规工艺提高约0.5%,属于光伏行业的领先水平。湿法黑硅量产设备产能到达3400片/小时,实现了自动化、高精度、高效率与低损耗运行,属行业内首创。成果已申请国家发明专利 7 项,获授权发明专利 4 项;发表
具体了解该成果信息,请致电:2584892757