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多晶硅表面高效陷光结构的低成本可控制作技术

专利权人:南京航空航天大学

本成果采用低成本的金属辅助化学腐蚀法在多晶硅表面可控地制作高效陷光结构,与常规晶硅太阳电池工艺兼容性好,在高质量黑硅材料制作用的添加剂、工艺参数控制与自动化生产设备的设计制造等关键技术上取得了突破。 本成果用湿法黑硅技术生产的大面积(156mm×156mm)多晶黑硅太阳电池转换效率高于19.5%,比常规工艺提高约0.5%,属于光伏行业的领先水平。湿法黑硅量产设备产能到达3400片/小时,实现了自动化、高精度、高效率与低损耗运行,属行业内首创。成果已申请国家发明专利 7 项,获授权发明专利 4 项;发表

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本成果采用低成本的金属辅助化学腐蚀法在多晶硅表面可控地制作高效陷光结构,与常规晶硅太阳电池工艺兼容性好,在高质量黑硅材料制作用的添加剂、工艺参数控制与自动化生产设备的设计制造等关键技术上取得了突破。 本成果用湿法黑硅技术生产的大面积(156mm×156mm)多晶黑硅太阳电池转换效率高于19.5%,比常规工艺提高约0.5%,属于光伏行业的领先水平。湿法黑硅量产设备产能到达3400片/小时,实现了自动化、高精度、高效率与低损耗运行,属行业内首创。成果已申请国家发明专利 7 项,获授权发明专利 4 项;发表 SCI论文12篇,EI 论文 8 篇,核心期刊论文10篇。 本成果在江苏某合作光伏公司率先获得了应用,三年内湿法黑硅太阳电池销售额达到11.5亿元,新增利润1.3亿元,节支0.2亿元,经济与社会效益显著。本成果还在另一家特大型太阳电池生产企业中应用了二年,湿法黑硅太阳电池销售额达到14.8亿元,新增利润1.7亿元,节支0.3亿元。由于本成果的示范作用,国内多家大型光伏企业已陆续引进湿法黑硅太阳电池技术,这将大幅度降低晶硅太阳电池的生产成本,促进光伏发电平价上网早日实现。