首页 > 成果展示
高性能集成巨磁阻传感器及磁电信号耦合器件

专利权人:杭州电子科技大学

基于磁电子技术的新型器件具有体积小、速度快、抗辐射、能耗低,易与半导体集成等优点,各类器件包括磁电子传感器、磁电信号耦合器件、磁逻辑与存储器件等具有高达千亿元的广阔的市场前景。杭州电子科技大学磁电子中心在高性能磁电子器件产学研一体化方面取得了一系列突出成果:1)完成了具有自主知识产权的磁电子传感器芯片的研制,实现了6英寸硅片晶圆上磁电子传感器的集成,并形成了多个系列产品,经国家权威机构检测证明,产品性能优于国外同类产品,打破了国外技术垄断,填补了国内空白;2)团队技术支撑并完成了中船重工集团投资兴建的我国

具体了解该成果信息,请致电:0571-58619115

基于磁电子技术的新型器件具有体积小、速度快、抗辐射、能耗低,易与半导体集成等优点,各类器件包括磁电子传感器、磁电信号耦合器件、磁逻辑与存储器件等具有高达千亿元的广阔的市场前景。杭州电子科技大学磁电子中心在高性能磁电子器件产学研一体化方面取得了一系列突出成果:1)完成了具有自主知识产权的磁电子传感器芯片的研制,实现了6英寸硅片晶圆上磁电子传感器的集成,并形成了多个系列产品,经国家权威机构检测证明,产品性能优于国外同类产品,打破了国外技术垄断,填补了国内空白;2)团队技术支撑并完成了中船重工集团投资兴建的我国第一条完整的磁电子芯片生产线的设计、建设及调试,并在生产线上成功完成器件的流片;3)承担了国家科技部863课题,开展兼具非易失性和锁存功能的新型磁电信号耦合接口芯片的研制与产业化工作。