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大功率半导体激光器外延与芯片制备

专利权人:北京工业大学

本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上,跟踪国际趋势,形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器,输出功率大于12W,寿命1万小时。 主要优势: (1 )填补国内空白。 (2 )易于光纤耦合。 (3 )多种波长可选。所处研发阶段:中试阶段适合应用领域:直接光加工、固体激光器泵浦源、光纤激光器泵浦已有应用情况:北京大族天成半导体技术有限公司; 重庆航伟光电科技有限公司等。 资金规模5000万元 ,用于购买一套完备的生产设备,600平方米超净间建设,部分用于流动资金。 财务分析:设计年产能26

具体了解该成果信息,请致电:13611148546

本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上,跟踪国际趋势,形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器,输出功率大于12W,寿命1万小时。 主要优势: (1 )填补国内空白。 (2 )易于光纤耦合。 (3 )多种波长可选。所处研发阶段:中试阶段适合应用领域:直接光加工、固体激光器泵浦源、光纤激光器泵浦已有应用情况:北京大族天成半导体技术有限公司; 重庆航伟光电科技有限公司等。 资金规模5000万元 ,用于购买一套完备的生产设备,600平方米超净间建设,部分用于流动资金。 财务分析:设计年产能26万只,价格(含税)150元,年销售收入3900万元,毛利率55%,年净利润率33%,按价格年递减5%、工资成本年递增5%、材料价格不变的假设测算,静态投资回收期为4.7年。