专利权人:北京工业大学
GaN微显示器是采用纯的第三代半导体材料GaN设计制成芯片级的LED显示阵列(如800×600像素的显示器),然后再键合Si基FET IC驱动芯片(800×600点阵)来动态点亮微矩阵显示器,显示动态图像。它分辨率高、尺寸小、亮度高、寿命长、抗干扰能力强、响应速度快、高可靠性以及在苛刻条件下的兼容性和易于使用,特别是白天室外的使用,使得其比现有的LCD、OLED、DLP技术具有更广泛的应用潜力和开发价值。它将固态照明、平板显示、IC集成电路技术三者结合起来,为LED产业、平板显示产业和IC集成电路产业提供
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