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氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

专利权人:辽宁大学

在制备FTO透明导电薄膜的方法中,溶胶凝胶法(sol-gel)具有工艺简单,价格低廉,反应温度低,易于实现多组分均匀掺杂等优点,因此近年来受到广泛关注。但是,在溶胶凝胶的制备过程中,会将Cl-、Na+,Ca+等杂质离子带入FTO薄膜,对薄膜性能产生不利影响。本发明的目的是提供一种防止在溶胶凝胶制备FTO薄膜的过程中,带进阴阳杂质离子,进而提高薄膜性能的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以凝胶再溶解与隔离层法相结合,氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜电阻率可以达到6.6X10-3Ω•cm,透射率大于80%。

具体了解该成果信息,请致电:18640214387

在制备FTO透明导电薄膜的方法中,溶胶凝胶法(sol-gel)具有工艺简单,价格低廉,反应温度低,易于实现多组分均匀掺杂等优点,因此近年来受到广泛关注。但是,在溶胶凝胶的制备过程中,会将Cl-、Na+,Ca+等杂质离子带入FTO薄膜,对薄膜性能产生不利影响。本发明的目的是提供一种防止在溶胶凝胶制备FTO薄膜的过程中,带进阴阳杂质离子,进而提高薄膜性能的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以凝胶再溶解与隔离层法相结合,氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜电阻率可以达到6.6X10-3Ω•cm,透射率大于80%。