专利权人：西安建筑科技大学

金属镁的纯净度是影响其随后各种性能关键冶金质量，特别是高性能电子材料。本成果通过多种精炼及凝固工艺控制实现高纯净化，对原始纯度99.92%—99.93%的金属镁，经过提纯后纯度可以达到99.99%，特别是Mn、Fe、Si元素降低幅度显著。利用本技术高纯化后制备的Mg靶，已应用于铯原子钟电子倍增器中的二次电子发射体薄膜。结果显示，与日本高纯Mg靶使用结果对比发现，采用本成果的Mg靶反应磁控溅射制备的MgO薄膜，其二次电子发射系数高于日本进口的靶材。

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