技术特点：本专利的三态阻变存储器具有长的保持时间和良好的开关性能，呈现出较为稳定三阻态的保持，其保持时间长达2.3×105s；并且高阻态电阻与中间阻态电阻的开关阻值比大于102，中间阻态电阻与低阻态电阻的开关阻值比大于105，拥有显著的开关效应；主要技术参数：一种纳米级三态阻变存储器，其技术参数是，其是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次生长有nc-Si:H膜和Ag电极膜；所述nc-Si:H膜的厚度为50~350nm，所述Ag电极膜的厚度为50~200nm。 2.根据权利要求1所述的纳米级三态阻变存储器，其技术参数是，所述Ag电极膜为直径0.1~0.3mm的圆形电极膜；应用范围：下一代非易失性存储器； 市场前景、效益分析：项目推广使用，不仅能够促进技术的应用转化，而且对半导体大面积应用的行业具有重要的促进作用，有望取得可观社会价值和经济价值。