专利权人：北京工商大学

本成果属于高密度磁记录介质材料技术领域，特别是提供了一种利用钐含量调控SmCo薄膜的矫顽力和SmCo薄膜磁性颗粒间磁耦合作用的方法。优势特色：本成果提供一种利用钐含量调控SmCo薄膜的矫顽力并且利用自身析出的非磁性SmCo2相来降低SmCo薄膜中磁性颗粒间磁耦合作用的方法，解决SmCo合金薄膜矫顽力过高，且磁耦合作用强、记录噪音高的工业化生产问题。主要技术指标：矫顽力大于3000kA/m；<0.1；单一磁性相

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