普通氧化铜薄膜由于具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、易于与多种半导体材料实现集成化而广泛应用于光电器件、声表面波器件、平面光波导、透明电极、透明导电膜、压电器件、气敏传感器和 GaN 的缓冲层等。目前制备纳米氧化铜薄膜的方法主要有溶胶凝胶法、等离子沉积法、等离子体溅射以及脉冲喷雾热蒸发化学气相沉积法等。上述方法合成工艺较为复杂，往往需要3步或3步以上。此外，这些方法得到的氧化铜薄膜通常是由氧化铜球形（或类球形）颗粒所团聚而成，很难得到由非球形且具有特殊纳米结构的氧化铜单元组成的薄膜。本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种制备纳米氧化铜薄膜的一步法，合成具有特殊结构纳米氧化铜薄膜，并将所述纳米氧化铜薄膜作为催化剂应用于降解亚甲基蓝中，与传统方法的氧化钛作为催化剂相比，纳米氧化铜薄膜作为催化剂有更高的降解率和更好的重复性。本技术获得中国发明专利（ZL 201410351107.0）授权。