目前，可弯曲显示屏的屏幕表面材料——氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ITO）已经出现稀缺的情况，这种材料的稀缺使得相关工业陷入了窘境，也使得人们开始寻找这种材料的替代品。银纳米线因具有良好的导电性、透明和可弯曲特点可替代ITO作为可弯曲显示屏的电极。银纳米线的制备方法主要分为物理法和化学法，其中化学法因其工艺简单、造价低、容易规模化生产而迅速发展。目前化学制备银纳米线的方法主要有湿化学法、模板电化学法，然而这些方法操作复杂、且污染环境不能生成透明的导电银纳米线。 本发明提供一种超长透明银纳米线的制备方法，通过硅粉与HF/AgNO3水溶液在高压沸腾情况下的氧化还原反应：HF/AgNO3水溶液形成的强氧化体系对硅粉进行氧化，硅粉表面附近的Ag+被还原成Ag，在硅不断与银进行的氧化还原反应中，银离子钻洞后脱出银原子，在硅粉表面进行自组织结晶规模化生长成超长超细均一透明的银纳米线。本发明制备步骤少、操作简单，环境友好，产率高，可用于规模化生产银纳米线，制备的银纳米线长度较长，可替代ITO作为可弯曲显示屏的电极。可广泛应用于手机、电视和计算机可弯曲显示屏的衬底电路电极。