由于纳米结构的量子限制效应，硅纳米结构材料呈现出了宽范围的能级可调和室温发光特性，在光电器件、全色显示、太阳能电池、生物荧光标记、光通讯和硅基光集成等领域具有巨大应用潜力。本技术提供了一种利用射频介质阻挡放电产生的等离子体来连续生长单分散的纳米晶硅粉体的装置和方法。其所利用射频介质阻挡放电具有低温、高气压、非平衡的特点，所使用的电极可以在较高压强下方便地产生大面积的低温等离子体，放电可长时间进行，且放电均匀。作为阻挡层的平行板相对竖直放置，可以实现一直开着射频源，通过气体的流动达到控制停留时间的目的，反应气体经过等离子体区生长成几纳米的颗粒后再通过气流流到下面的收集网上进行收集。本技术操作简单，设备成本低，是一种经济实用的生产纳米晶硅粉体的装置。通过流量表调整气体的流量和/或通过真空泵和可调挡板调整反应腔的压强，控制反应气体在等离子区的停留时间，即控制纳米晶硅的生长时间，获得生产粒度分布均匀、可控的纳米晶硅粉体，可以实现大规模产业化生产。