专利权人：广东工业大学

一、核心技术:1.利用光微电子晶片表面化学反应和磁流变抛光垫柔性确定性抛光的协同作用进行抛光，解决“抛光加工中可控性差和高效率与高精度之间矛盾”的问题。2.基于磁流变效应抛光垫对磨粒的“容没”效应实现原子级材料去除，得到低粗糙度、低损伤原子级超光滑加工表面。3.利用纳米划痕试验和系统试验研究，揭示化学反应与磁流变机械去除间的协同作用机理和原子尺度材料去除机制。二、关键科学问题:1.电子晶片表面的固相反应原理2.晶片表面化学反应与磁流变抛光柔性机械去除的协同作用机理3.电子晶片表面原子尺度材料去除机理

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