专利权人：太原理工大学

Ⅲ-V族、‖-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族等新型化合物半导体材料(如GN等)具有优异的光学和电学性能,可用于制备发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和太阳能电池等光电子器件,是目前半导体材料领域的研究热点。太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室光电材料课题组致力于上述新型化合物半导体材料的生长、性能及其LED、LD和太阳能电池等光电子器件的研究和产业化工作,在材料和器件的表(界)面研究方面已形成鲜明的特色和优势。

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