专利权人:中国计量大学
半导体器件自动测量仪,已获得了甘肃省计量研究院颁发的“仪器校验证书”。该测量系统是一套可用于双端和三端电子器件的自动测量系统,主要应用于场效应晶体管(FET)和二极管特性的测量。该测量系统的优势在有机场效应晶体管OFET器件的测量中可以很好的体现,由于OFET器件的阻抗比较高,在测量中需要有弱电流的测量能力(nA级或更小)和较高电压的输出能力(100V),该系统完全满足上述需求。OSDMeas-1测量仪由计算机、数据采集卡、电压源和电流放大器等功能模块构成,实现了电压-电流特性的自动扫描测量。测量方式采用
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