核心微电子器件是国家急需技术，和国家重大科技专项中的“核高基”专项密切相关。随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）逐渐缩小，摩尔定律的微缩速度逐渐变缓。在这种背景下，一旦有新型器件的发明和应用，就可能引起集成电路行业的重大变革，因而国际上对具有重要应用前景的新型信息器件展开了大量研究，已经形成国际热点。科研团队研制出一种新型的微电子器件 ─ 半浮栅晶体管（SFGT），在集成电路先导工艺技术、新型半导体器件等方面开展了系统研究，并取得很多创新性成果。相关研究成果刊登于2013年8月出版的Science期刊上，被国际同行认为是器件领域的“一个巨大进步”，更被技术咨询公司评价为“半浮栅晶体管能够解决DRAM芯片面临的技术问题，有潜在的技术能力来替代DRAM”。2013年8月12日中央台的《新闻联播》头条专门对该成果进行了长达4分钟的报道。