微电子芯片与高密度存储的发展一直伴随着光源的进步。作为半导体集成电路产业的核心紫外光刻技术，一直以来都面临着紫外光较长的波长（193nm）与超小型器件沟道（~10nm）的矛盾。另外单个光子的能量和其波长成反比，极深紫外波长(120 ~12 nm)的光源对应着更高的单个光子能量（10-100 eV）。高能光子对于科研领域有重要的意义，在物理、材料、生物等领域有广泛的需求。我校于2014年启动了国家重大仪器研究计划（飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统）。就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前，已经成功地在实验室中，实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源，脉冲重复频率为1kHz，单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右，亮度为1 ´ 1011光子/s。从光通量上看，已经在世界上的同类光源中做到了第一，比第二的英国卢瑟福实验室的XUV光源还高出一个数量级。课题组已经成功申请了多项发明技术专利。正在的进行第二代的XUV光源开发，将脉冲光源的重复频率提高到10 kHz，理论上可以提高XUV光源的亮度10倍。利用XUV光源的实验将可以大幅度缩短数据采集时间，使得普通的实验室，可以真正获得了相当于同步辐射光源的测量速度。