南京大学通过国家“863”计划支持，开发了新型非极性LED材料生长和器件制作技术。用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯，分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光，LED结构材料的室温波长分别为363nm（FWHM：20nm）、414nm（FWHM：68nm）、519nm（FWHM：70nm）的发光峰，LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522nm （正向偏压：10 V，电流：70 mA）的发光峰。