专利权人：华南理工大学

本项目旨在开发具有自主知识产权的硅基GaN功率器件。采用低成本硅衬底，通过MOCVD方法生长GaN薄膜和GaN/AlGaN 异质结HEMT。利用现有成熟硅半导体工艺设备和硅衬底GaN薄膜芯片制备技术，开发硅基GaN功率器件工艺融合技术。通过工艺整合，良率及量产稳定性控制，形成硅基GaN异质材料外延、芯片制备和器件封装一系列完整产业链，实现低成本高可靠性Si基GaN功率器件的产业化，填补国内空白。

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