专利权人：陕西师范大学

随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，带动了相关材料、设备行业的研究。随着集成电路的特征尺寸不断缩小，高性能介电材料的研发决定着集成化、小型化、高速化电子元器件的未来发展。针对巨介电陶瓷材料损耗缺乏科学预见以及巨介电响应机理不甚明晰等问题，采用固相法和溶胶凝胶法等不同方法制备了不同离子取代ACu3Ti4O12系巨介电陶瓷。围绕结构基元修饰与微结构调控的影响因素，结合多种手段精细表征样品的宏观电性能、介观结构和微观结构，揭示巨介电响应的物理机制，筛选出了低损耗、高介电及高温度稳定性

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