（项目简介包括成果概述、技术及产品特点、应用领域、产能及主要经济技术指标、投入需求等）提高太阳电池的光电转化效率并降低生产成本是实现太阳电池平价上网的有效途径，因此，研究可以实现大规模生产的高效低成本晶体硅太阳电池技术，尤其是具有自主知识产权的核心技术尤其重要。在立足国产化设备的基础上，本研究对晶体硅太阳电池工艺进行了优化，主要取得如下技术成果：1．高方阻浅结制备技术。将一次重扩散与表面化学腐蚀相结合，形成均匀高方阻浅结结构，利用优化的表面减反射钝化薄膜制备工艺，并通过丝网印刷与电镀相结合制备电极，开发出具有自主知识产权的高方阻浅结高效晶体硅太阳电池技术路线。2．选择性发射极技术。采用一次扩散结合湿化学腐蚀法，用返刻的方法制备选择性发射极。技术仅通过一次高温热扩散，工艺过程简单，可实现大规模量产，降低电池成本。3．优化出适合国产化装备的高性价比晶体硅太阳电池生产工艺，提出了以红外摄像技术检测电池漏电及利用激光修复工艺。本技术成果主要应用于晶体硅太阳电池制造和生产领域，本成果自2010 年在企业进行生产和推广以来，取得了较大的经济效益。随着光伏产业的快速增长，以晶体硅为主要材料的太阳电池会朝着高效低成本的趋势发展，使得太阳能得以普遍应用，因此本技术成果具有广阔的市场前景。