本项目在国际上首先提出"有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷"的新思路，发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列技术。其主要创新点如下：(1) 发明了微量掺锗直拉硅单晶，实现了直径150-300 mm掺锗直拉硅单晶的生长。(2) 发明了微量掺锗直拉硅单晶的外延、吸杂等微电子器件相关的技术，实现其在微电子产业中的应用。(3) 发明了微量掺锗直拉硅单晶的低光衰减、薄片化等太阳能电池相关的技术，实现其在光伏产业中的应用。通过掺锗抑制直拉硅单晶中硼-氧复合体的产生，使太阳能电池效率的光衰减降低了13%以上。掺锗提高硅片的机械强度，其碎片率降低约25%。项目获中国发明专利10项，美国发明专利1项，获"第十三届中国专利优秀奖"1项，技术水平国际领先。在SOMAT等国外期刊上发表SCI论文46篇，约占国际同类论文的52%。自2007年以来，项目形成了系列产品，在微电子和光伏产业获得大规模应用。近3年新增微量掺锗直拉硅单晶销售12.1亿元，利税2.02亿元。