专利权人:西北工业大学
本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用,采用改进的垂直布里奇曼技术,通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量,探索了优化的晶体生长和退火改性工艺,生长出满足探测器要求的高性能CdZnTe晶体。围绕对X射线和γ射线等不同能量射线检测及应用的要求,解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难题,建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线,制备了对X射线和γ射线响应良好的CdZnTe探测器,实现了CdZnTe晶体和探测器的小批量生产。该技术获2012年获陕西省科
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