教育背景
工作经历
项目课题经历
论文、成果、著作等
已在IEEE Trans. ED、JKPS、ISPSA、ICCCAS、EEIC等国际学术刊物及国际国内学术会议发表论文20余篇，其中SCI、EI收录10余篇
专利、著作版权等
1. 王向展，王微，秦桂霞，曾庆平. 一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，国家发明专利，申请号：201110408312.2
2. 王向展，秦桂霞，罗谦，王微，李竞春. 一种MOS晶体管局部应力的引入技术，国家发明专利，申请号：201110268524.5
3. 王向展，于奇，杨洪东，王微. 一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法，国家发明专利，申请号：201110223233.4
4. 王向展，于奇，宁宁，秦桂霞，曾庆平. 一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，申请号：2ࣺᯬ
声明：本站专家信息来源于各高校官网。
