1985年在四川大学物理系获理学学士学位；2002在电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得硕士学位

1985年至今在电子科技大学微电子与固体电子学院从事教学和科研工作。2005年曾赴澳大利亚墨尔本维多利亚大学进行短期学习进修；主讲本科专业基础课程《固体物理》和《量子力学与统计物理 》。

[1] 深亚微米MOS器件物理模型探索（科工委基金） [2]Si/SiGe PMOS器件及可靠性研究（国家重点实验室基金） [3] SiGe HCMOS器件及电路的关键技术研究（军事电子预研支撑技术项目） [4]应变BiCMOS集成器件应力引入机理和方法（973） [5]SiN薄膜应力引入Si CMOS沟道的机理与方法 （重点实验室基金）

[1] 深亚微米MOS器件物理模型探索（科工委基金） [2]Si/SiGe PMOS器件及可靠性研究（国家重点实验室基金） [3] SiGe HCMOS器件及电路的关键技术研究（军事电子预研支撑技术项目） [4]应变BiCMOS集成器件应力引入机理和方法（973） [5]SiN薄膜应力引入Si CMOS沟道的机理与方法 （重点实验室基金） 主要论文： [1]Li Jingchun, Tan Jing, Yang Mohua, Zhang Jing, Xu Wanjing, ” StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual s ubstrate”, Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293 [2]Li Jingchun, Tan Jing, Fabrication Strained-Si channel MOSFETs on Ultra thin virtual SiGe substrates， JOURNAL OF ELECTRONICS, 2006, 23(2), 266~268StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual substrate”, Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293 [3]李竞春，谭静，梅丁蕾，张静，徐婉静，“采用低温Si技术的Si/SiGe异质结P-MOSFET”，固体电子学研究与进展， 2006，26(2):162~165 [4]J李竞春，韩春，周谦，张静，徐婉静，“240nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET”，电子科技大学学报， 2007, 36(1):126~128Photocatalytic Property of Surface Modified TiO2，Advanced Materials Research，2012， 399-401：1481-1486 [5] 李竞春,杨洪东,杨阳,局部双轴应变SiGe材料的生长与表征,浙江大学学报，2011,45(6)：1048~1051 [6] Li Jingchun, Mei Dinglei, Yang Mo-Hua,Strain Si Channel Heterojuntion pMOSFET Using 400℃ LT- Si Technology，半导体学报，2004，25(10):1221~1225 [7] Gate oxide prepared by nanometer silicon wet oxidation at low temperature for Si/SiGe PMOSFET application”, Semiconductor Science and Technology, 2001， Vol.16, Aug. [8] Li Jingchun,Tan Jing, Xu Wanjing, Zhang Jing, Tan Kaizhdu, Yang Mohua, “Si/SiGe PMOSFET USING P+ IMPL ANTATION TECHNOLOGY”，JOURNAL OF ELECTRONICS，2007 24 (1):100~103

李竞春，于奇，杨谟华. 新型环栅垂直 SiGeC MOS器件，2007.5，国家发明专利，ZL03135326.6 王向展，于奇，杨洪东，李竞春，应贤炜. 一种应力放大的CMOS晶体管结构. 申请号：ZL201010539413.9 (已授权) 于奇，王向展，宁宁，李竞春，杨洪东，应贤炜，周炜捷，蒋宾，王勇. 一种利用应力集中效应增强沟道应力的MOS晶体 管，国际发明专利，申请号：PCT/CN2011/073177 (已递交美国专利商标局USPTO，申请号13/512,415)