获博士学位。电子科技大学材料物理与化学专业，2010年

电子科技大学副教授，2012年 香港大学物理系研究助理，2012年 ，香港中文大学电子工程系，研究助理，2006/2007年

[书中的章节] 1.曾鸿章，刘建勋。铁电薄膜的纳米级静态和动态畴结构。固体薄膜研究的趋势。纽约：Nova Science出版社，165-192（2007） [期刊论文] 1.张建华，曾洪增，张明，刘维，周振峰，陈宏伟，杨克强，张伟林，李永红，AlGaN / GaN异质结构的纳米级电容-电压特性的探针压力依赖性。《科学仪器》 81（2010）103704 . 2.曾HZ，LZ Hao，罗WB，LXW Liao，W。Huang，Y。Lin ，YR Li，LiNbO3 / AlGaN / GaN金属-铁电半导体异质结的陷阱性质通过温度相关的电导测量。Journal of Applied Physics 107（2010）084508. 4. LZ Hao，J. Zhu，WB WB Luo，Zeng Zeng，YR Li，Y. Zhang，LiNbO3膜/ AlGaN / GaN异质结构的电子陷阱存储特性。应用物理快报 96（2010）032103 . 5.曾厚征，孙HM，罗WB，W。Huang，ZHANG Wang，YR Li，通过电流感应原子力显微镜对AlGaN / GaN异质结构的纳米级电容光谱表征。Journal of Applied Physics 105（2009）094319 . 6. Hao LZ Hao，J。Zhu，Lou WB Luo，Zeng Zeng，YR Li，W。Huang，XXiao Liao，Y。Zhang ，铁电LiNbO3薄膜/ AlGaN的外延制备和存储效应/ GaN异质结构。Applied Physics Letters 95（2009）232907。7 . XH Wei，YR Li，WJ Jie，JL Tang，Zeng Z，W。Huang，Y。Zhang，J。Zhu ，钙钛矿表面异质外延生长ZnO。物理学杂志D-Applied Physics 40（2007）7502。 8. JS Liu，Zeng HZ，AL Kholkin，通过压电响应力显微镜对PZT电容器中铁电畴的截面分析。物理学杂志D应用物理 40（2007）7053。9 .沉J.曾洪征，王ZH，卢SB，黄宏德，刘JS，在Pb（Zr，Ti）O-3上写不对称电荷的研究凯尔文探针力显微镜拍摄胶片。Applied Surface Science 252（2006）8018。10 . 刘继生，张小荣，曾洪征，杨大中，袁元,，铁电薄膜晶粒尺寸的矫顽场依赖性。物理评论B 72（2005）172101。

1.曾红增，王ZHANG，李亚里，“一种通过原子力显微镜对薄膜进行截面分析的位置方法”，中国专利，ZL200510021649.2，2005 2.沉洁，王ZHANG，杨CR，曾HZ，“截面原子力显微镜的样品架”，中国专利，ZL200510021650.5，2005 3.李玉荣，王ZHANG，曾HZ，“基于原子力显微镜的薄膜局部压电系数的纳米测量”，中国专利，＃200810147692.7，2008（申请中） 4.曾红增，韩RB，郑振林，林Lin，“一种用于扫描探针显微镜的局部电容测量系统”，中ࣺᯬ