1994/9–1998/6，兰州大学，电子器件与材料工程，学士学位 1998/9–2001/7，中国空间技术研究院510所，物理电子学，硕士学位 2001/9–2004/7，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，材料物理与化学，博士学位

2004/08-2007/06，电子科技大学，讲师 2007/07-2013/06，电子科技大学，副教授 2013/07-至今，电子科技大学，教授

（1）射频微系统玻璃基板通孔技术研究，中国电科创新项目，经费500万元，2015-2017； （2）薄膜集成器件关键技术开发，广东省教育部产学研重大专项，经费200万元, 2009-2012； （3）压电/GaN异质结构的电场-迁移率耦合效应研究，国家自然科学基金面上项目，经费60万元, 2012-2015； （4）XXXX薄膜材料应用研究，总装预研项目，经费200万元,2011-2015； （5）高性能TaN薄膜电阻关键技术开发与产业化，广东省教育部产学研结合重点项目，经费100万元, 2012-2015； （6）薄膜化微波元器件集成技术研究和中试生产，广东省教育部产学研结合项目，经费100万元，2007-2010； （7）兼容MMIC工艺的XXXX，国防预研基金，经费30万元,2010-2013； （8）介电/半导体集成薄膜调制耦合机理研究，国防973计划二级子项目，经费250万元,2007-2010。

1. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Song Wu, Ying Liu, Hongwei Chen, Wanli Zhang, Yanrong Li, Theoretical design of GaN/ferroelectric heterostructure: Toward a strained semiconductor on ferroelectric, Appl. Phys. Lett. 2009, 95: 122101. 2. Chao Chen, Xingzhao Liu, Jihua Zhang, Benlang Tian, Hongchuan Jiang, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Threshold voltage modulation mechanism of AlGaN/GaN metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors with fluorinated Al2O3 as gate dielectrics. Appl. Phys. Lett. 2012, 100: 133507. 3. Jihua Zhang, Xi Wang, Wenwei Yang, Weidong Yu, Tao Feng, Qiong Li, Xianghuai Liu, Chuanren Yang. Interaction between carbon nanotubes and substrate and its implication on field emission mechanism. Carbon 44(3): 418-422(2006) 4. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Yongjin Wang, Tao Feng, Weidong Yu, Jun Jiang, Xi Wang and Xianghuai Liu. Improvement of Field Emission of Carbon Nanotubes by Hafnium Coating and Annealing. Nanotechnology 17: 257-260 (2006). 5. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Song Wu, Ying Liu, Ming Zhang, Hongwei Chen, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Tuning Two-dimensional Electron Gas of Ferroelectric/GaN Heterostructures by Ferroelectric Polarization, Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 035011. 6. Jihua Zhang, Chuanren Yang, Ying Liu, Min Zhang, Hongwei Chen, Wanli Zhang, and Yanrong Li, Can we enhance two-dimensional electron gas from ferroelectric/GaN heterostructures? J. Appl. Phys. 2010, 108(7): 084501. 7. Jihua Zhang, Shanxue Zhen, Lijun Yang, Feizhi Lou, Hongwei Chen, and Chuanren Yang, Super Smooth Modification of Al2O3 Ceramic Substrate by High Temperature Glaze of CaO–Al2O3–SiO2 System, Jpn. J. Appl. Phys. 2011: 50: 015803. 8. Jihua Zhang, Shangjun Mo, Huayi Wang, Shanxue Zhen, Hongwei Chen, Chuanren Yang, Microstructure and electrical properties of PLZT ceramics from Pb3O4 as the lead source, J. Alloy. Compd. 509 (2011) 2838–2841. 9. Jihua Zhang, Hongwei Chen, Guanhuan Lei, Wei He, Yu Liao, Qiaozhen Zhang, and Chuanren Yang, Improved Ferroelectric Phase Shifter by Inserting Spiral Inductors into Ground, Integrated Ferroelectrics 130:27–32, 2011 10. Jihua Zhang, Huizhong Zeng, Min Zhang, Wei Liu, Zuofan Zhou, Hongwei Chen, Chuanren Yang, Wanli Zhang, Yanrong Li, Probe Pressure dependence of Nanoscale Capacitance -Voltage Characteristic for AlGaN/GaN Heterostuctures, Rev. Sci. Instrum. 2010, 81(10): 103704. 11. 张继华，赵 强，微波介质薄膜研究与应用【大会邀请报告】，TFC’11全国薄膜技术学术研讨会，2011.8.25-28，南昌 12. Jihua Zhang, Tuning 2DEG of Ferroelectric/ GaN Heterostructure by Polari- zation and Strain——A theoretic Study, The 7th China International Conference on NanoScience and Technology, Wuhan【分会邀请报告】，2008.10.20 13. 张继华,铁电/氮化镓异质结构基本物理参数与性能模,第十一届全国固体薄膜学术会议（杭州）【大会邀请报告】，杭州，2008.10.26 14. 张继华, 碳纳米管的改性及场发射性能研究, 第十六届全国半导体物理学术会议【分会邀请报告】，兰州，2007.9.8-9 15. 用于刻蚀BST薄膜的腐蚀液及制备方法．专利号：ZL200810045321.8, 2011.4.27授权 16. 一种高温加热的真空蒸发镀膜装置．专利号：ZL200810044995.6，2011.7.20授权 17. 薄膜电路产品基片处理方法，专利号：ZL200810304256.6，2011.7.27授权 18. 基于不锈钢基板的YBCO厚膜电阻浆料及其制备方法，专利号：ZL201010158934.X，2011.11.2授权 19. 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，专利号：ZL201110455998.0，2013.11授权

15. 用于刻蚀BST薄膜的腐蚀液及制备方法．专利号：ZL200810045321.8, 2011.4.27授权 16. 一种高温加热的真空蒸发镀膜装置．专利号：ZL200810044995.6，2011.7.20授权 17. 薄膜电路产品基片处理方法，专利号：ZL200810304256.6，2011.7.27授权 18. 基于不锈钢基板的YBCO厚膜电阻浆料及其制备方法，专利号：ZL201010158934.X，2011.11.2授权 19. 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，专利号：Zࣺᯬ