教育背景
吉林大学半导体专业本科、硕士,清华大学材料学博士
工作经历
先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,现大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理)。
项目课题经历
论文、成果、著作等
Publications
[10] 刘冰冰 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)
[09] 江..滢 等. Field isolation for GaN MOSFETs. Semicond. Sci. & Tech., 29: 055002 (2014)
[08] 王青鹏 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)
[07] 朱巧智 等. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89 (2014)
[06] 李文波 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)
[05] 朱巧智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)
[04] 黄玲琴 等. Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)
[03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)
[02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)
[01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)
译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月
原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder
专利、著作版权等
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