首页 > 专家库
王德君

领域:高端装备制造产业 学校:大连理工大学职称:教授

半导体缺陷物理学 Semiconductor Defect Physics 半导体SiC、GaN器件科学 Semiconductor SiC & GaN Device Physics and Technology AI芯片、集成电路技术 IC Technologies 智能电子控制及安全;传感器与传感网;Sensor Chip, Intelligent electronic safety control...

具体了解该专家信息,请致电:027-87555799 邮箱 haizhi@uipplus.com

教育背景

吉林大学半导体专业本科、硕士,清华大学材料学博士

工作经历

先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,现大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理)。

项目课题经历

论文、成果、著作等

Publications [10] 刘冰冰 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014) [09] 江..滢 等. Field isolation for GaN MOSFETs. Semicond. Sci. & Tech., 29: 055002 (2014) [08] 王青鹏 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014) [07] 朱巧智 等. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89 (2014) [06] 李文波 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013) [05] 朱巧智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013) [04] 黄玲琴 等. Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013) [03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013) [02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012) [01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011) 译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月 原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder

专利、著作版权等

声明:本站专家信息来源于各高校官网。