本研究所主要涉及三个高端激光芯片与先进装备方向：红外高功率激光芯片产业化、高能量光纤激光装备产业化、皮秒激光智能精密装备已处于小批量生产或核心技术已取得突破，具体为: a.高功率红外激光器芯片和Bar条已进入小批量生产阶段。项目目前可提供单Bar大于100W，24小时不稳定度<2%的激光器样品，即将进行小批量生产。同时，我们采用78根大功率50瓦的巴条侧泵YAG晶棒，获得了功率超过1000W的全固态激光器样机； b.高能量光纤激光器已成功获得万瓦输出的样机。研究团队掌握了激光器光束准直、整形、合束和耦合的关键技术，目前已实现功率大于10000瓦的稳定光纤激光输出，且具有良好光束质量，成为后续研发工业化万瓦激光加工装备的基础和关键技术 c.掌握了皮秒激光器的关键技术。团队在国际上首次使用二维半导体异质结激光锁模关键技术，成功实现皮秒激光种子源锁模，获得稳定可靠的皮秒种子源，大大降低了皮秒激光装备的生产成本。上述技术的突破和积累，为下一阶段皮秒激光器的样机研制提供了良好的基础。 d.研制成功了激光冲击强化装置和激光冲击成形系统,技术指标:脉冲能量24J(能量起伏度≤±4％)、脉冲宽度(FWHM)≈23ns,在国内属首台。 团队拥有的知识产权比较丰富，主要集中在高性能半导体激光器的研制，如《具有高偏振转换特性的半导体激光器件》等；也包括半导体激光器的应用如《一种利用半导体激光进行鼓膜造孔术的光学系统》；包括利用激光进行检测，如《激光诱导阻值变化测试方法和系统》、《—种用于检测光学元件弱吸收的装置及方法》和《脉冲激光模拟单粒子试验系统及方法》；还包括了激光装备中关键元器件制备专利，如《一种惰性气体保护型碳纳米材料薄膜饱和吸收体的制备方法》和《一种转动保护性碳纳米材料薄膜饱和吸收体的制备方法》。