新一代红外焦平面探测器目前世界上还没有明确的定义，但是其应当具有以下三个个明显特征：1、高分辨率多波长探测的制冷焦平面；2、制造成本大幅度降低；3、无源探测。与前代红外探测器相比，更强调多色探测，以及性能和成本之间的平衡。新一代红外探测器的等效噪声温差（NETD）应在1mK~10mK，InAs/GaSb II类超晶格材料可以满足以上各个条件，经过很多机构对高质量超晶格材料的研究，验证了这种材料可以应用的新一代红外焦平面探测器，并在实际使用中获得了良好的效果。近年来InAs/GaSb超晶格工艺方面已经有了非常大的进步，可以完成中、长、超长红外探测器，双色探测器，大面阵超大面阵探测器，性能已经超过了MCT探测器。相比其他材料为基础的红外探测器，超晶格探测器的优势十分明显。1、基于III-V族材料分子刷生长技术，大面积衬底上均匀性好，易于实现掺杂，无合金涨落等现象，利于大面积焦平面阵列的制作。2、能带结构带隙可调，通过调整InAs与GaSb各层的厚度，能够实现2um到30um任意探测波长。3、电子质量大、隧穿电流小。4、通过适当的材料设计可以增大重空穴带与轻空穴带带隙分离，从而实现抑制俄歇复合的作用，提高探测器的工作温度。InAs/GaSb材料具有很大的电子有效质量，可以获得与碲镉汞材料相当的吸收系数。InAs/GaSb超晶格红外探测器的性能需要优质的外延生长技术支持，要求原子级平整的界面，以及低的本底载流子浓度。II类超晶格的外延生长需要MBE设备，可以获得原子级平整的材料。外延片经过ICP刻蚀形成台面结感光像素，然后用铟柱倒装焊技术将刻蚀好的台面结构与硅读出电路互联。然后用机械研磨、湿法化学抛光、湿法化学刻蚀等技术将衬底减薄到20um。超晶格探测器的有源区只需要很小厚，不需要像碲铬汞要求15um以上的厚度，有源区薄大大降低了技术上的难度，减小生产成本，提高成品率。InAs/GaSb类超晶格材料不仅可以作为优良的红外焦平面探测器使用，还可以成为高性能的长波红外线激光源。在光纤通信中发现，波长大于4um的激光在光纤中的衰减比目前1.5um波长激光要小很多，因此各技术强国都在尝试长波红外激光源的产品开发。InAs/GaSb超晶格结很容易获得这一波长的激光，成为产品也比较容易。