本技术涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应室上部的提升机构相连接；所述等离子体反应气盒与所述收/放卷装置之间的间隙构成等离子体辉光放电区。利用本技术可在同一真空反应室中集成多个卷对卷真空镀膜反应装置，并在多个柔性样品上实现批处理真空镀膜工艺。本技术适用于真空环境下高效连续的半导体薄膜生产工艺，并保证了批处理薄膜沉积时工艺条件的稳定以及防止反应气体的交叉污染。将PECVD真空镀膜工艺与卷对卷制程相结合是高效、低成本的大面积连续生产高质量半导体薄膜材料的一种关键生产工艺，基于本项目技术的批处理的卷对卷PECVD装置在光电薄膜材料和器件制备领域具有广泛应用前景。