本技术主要是在蓝光LED芯片的透明电极铟锡氧化物（ITO）层上制备经过设计的纳米结构，有效地提高LED芯片的出光效率。根据前期多次的实验结果，我们可以将现有的LED芯片的发光效率提高1倍左右。该技术普适性强，特别适用于平面结构LED芯片，要求LED芯片的透明电极使用ITO材料即可。该工艺技术可以在LED芯片蒸镀ITO透明电极之后、制作厚金接触电极之前处理，也可以在LED芯片制作厚金接触电极之后进行处理，对芯片规格无特殊要求，同时也不会影响芯片的后期封装处理，适用范围非常广。 目前，相关技术获发明专利授权一项，实用新型专利1项，还有一项发明专利在申请公开中。