本项目主要从事半导体晶片键合工艺的研究、开发以及相应半导体探测器的制备，其中键合工艺包括SOI、GOI以及晶片直接键合，半导体器件制备主要包括Si基PIN以及Si基雪崩放大器件的制备。目前为止，已经制备出2英寸SOI、GOI结构衬底片， 2英寸的Si/Si键合片以及Ge/Si键合片，下一步将继续摸索高性能键合材料的制备工艺，争取早日实现高性能器件的制备。